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碳化硅衬底片
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产品概述
Williamhill威廉希尔半导体通过全球首创的iGOWER视觉智能长晶机器人装置，采用PVT法生长的碳化硅衬底晶圆，增加了对原料进行预处理工艺技术，提高了原料的纯线和密度，减少了晶体中可能出现的缺陷。工艺水平处于国内前列。
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碳化硅衬底片
碳化硅衬底片是支撑电子电力行业不可或缺的重要材料，具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。
技术参数
*N-Type & High purity SiC Wafer
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序号 |
性质 |
4H碳化硅衬底 |
6H碳化硅衬底 |
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01 |
直径 |
100+0/-0.5mm |
150±0.2mm |
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02 |
厚度 |
350±25um |
350±25um |
|
03 |
电阻率 |
0.015～0.025Ω.cm |
0.015～0.025Ω.cm |
|
04 |
主定位边方向 |
{10-10}±5° |
{10-10}±5° |
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05 |
主定位边长度 |
32.5±2.0mm |
47.5±2.0mm |
|
06 |
局部厚度变化 |
≤4um |
≤5um |
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07 |
总厚度变化 |
≤10um |
≤15um |
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08 |
弯曲度 |
≤25um |
≤40um |
|
09 |
翘曲度 |
≤35um |
≤60um |
|
10 |
表面粗糙度 |
Ra<0.5nm |
Ra<0.5nm |
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11 |
划痕 |
None |
None |
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12 |
崩边 |
None |
None |
|
13 |
多晶 |
None |
None |
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14 |
六方空洞 |
Cumulative area≤0.05% |
Cumulative area≤0.05% |
|
15 |
表面污染物 |
None |
None |
关键词：
碳化硅衬底片
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