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碳化硅晶锭
碳化硅晶锭经过切割、抛光等工艺，加工成单晶衬底材料，可广泛应用于高温、高压、高频、大功率、光电、抗福射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境，具有不可替代的优势。
技术参数
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序号 |
性质 |
4H晶锭 |
6H晶锭 |
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01 |
晶格参数 |
a=3.076 |
a=3.073 |
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02 |
叠层顺序 |
ABCB |
ABCACB |
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03 |
微管缺陷密度 |
3.21 |
3.21 |
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04 |
摩氏硬度 |
～9.2 |
～9.2 |
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05 |
热膨胀系数 |
4-5*10-6 |
4-5*10-6 |
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06 |
折射率@750nm |
no = 2.61 |
no = 2.60 |
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07 |
介电常数 |
c～9.66 |
c～9.66 |
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08 |
掺杂类型 |
N型或半绝缘型 |
N型或半绝缘型 |
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09 |
热导率(w/cm-k@298k) |
a～4.2 |
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10 |
热导率(w/cm-k@298k) |
a～4.9 |
a～4.6 |
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11 |
带隙 |
3.23 |
3.02 |
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12 |
分解电场 |
3-5*106 |
3-5*106 |
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13 |
饱和漂移速度 |
2.0*105 |
2.0*105 |
*还有其他尺寸(2、3英寸，厚度5-10mm或10-15mm)可供选择，也可根据客户要求定制
关键词：
碳化硅晶锭
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